P6 SiC MOSFET功率？，电压品级涵盖1200V和750V两种类型，1200V？镽DS(on)包罗有2.9mΩ，2.2mΩ，750V模块RDS(on)包罗有1.7mΩ，1.3mΩ；内部接纳多SiC芯片并联设计，通过串联门极电阻保证芯片均流；模块接纳低电感设计阻止了振荡，1200V输出电流为480-640A，750V输出电流为485-630A；SiC芯片接纳双面银浆烧结和铜线jian合工艺，Si3N4的AMB散热绝缘基板和PINFIN散热基板保证优异的散热能力；？橥ü175℃ AQG-324可靠性认证，可恒久事情在175℃结温情形。